技術特色

放電切割半導體技術是用電極線進行放電加工切割半導體材料，相較鑽石線切割方法，具有晶圓表面品質較佳，速度較快，生產之碳排量較低的優點。可應用於高硬度半導體材料與導體材料的切割加工。

技術說明

以鑽石線材進行晶圓切片為當前主流，但設備高能耗、線材生產過程高碳排，晶圓表面品質不穩，仍須仰賴後端研磨。尤其在切割化合物半導體材料，如SiC、GaN等，具有硬脆的特性，硬度直逼鑽石的硬度，使用鑽石線切割效率低。所以用非接觸式加工方式來取代接觸式加工方式，成為另一種加工的選項。放電切割半導體技術是用電極線進行放電加工切割半導體材料，相較鑽石線切割方法，具有晶圓表面品質較佳，速度較快，生產之碳排量較低的優點。可應用於高硬度半導體材料與導體材料的切割加工。單一黃銅線放電切割8吋矽晶圓，切割速度可達1.25mm/min，約2小時40分鐘。切割面的表面品質佳，可降低後段研磨量。今年度正在開發多點同步放電切割半導體技術，一次可切割多片晶圓，提高整體加工的效率。

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