氮化鎵磊晶與製程技術
技術特色
以氮化鎵材料為核心,支援多元基板異質磊晶技術和客製化製程與驗證,加速材料和元件開發效率
技術說明
以氮化鎵材料為核心,結合多元基板異質磊晶技術與客製化製程驗證,協助加速材料與元件開發效率,打造更具市場競爭力的解決方案。本次在2025 SEMICON Taiwan的展出,涵蓋磊晶片、功率元件製程及VCSEL (面射型雷射),展現從材料到元件的完整技術佈局。
我們支援氮化鎵磊晶於Si、SiC、SOI、GaN等基板上生長,支援破片至8吋晶圓,提供少量驗證及數據分析,加速材料驗證與開發效率。在功率元件開發則聚焦於650 V D-mode與E-mode,支援指叉結構 (Multi-finger),符合業界開發指標。
本團隊亦為國內氮化鎵 VCSEL 技術開發的先驅,率先實現藍光與綠光 VCSEL Lasing,元件具備體積小、易陣列化等優勢,已成功導入生醫感測、AR 顯示與全像通訊等應用場域。未來也將持續深化核心技術,攜手夥伴推動氮化鎵於半導體與光電產業的創新應用。
技術照片
技術聯絡人
姓名:蔡婷舜
電話:03-5914480
信箱:tstsai@itri.org.tw