技術特色

具成本優勢的八吋氮化鎵晶圓製程一條龍服務，實現從材料磊晶到系統整合的產業鏈技術布局

技術說明

隨著 5G/6G 技術推動高速、大頻寬應用，傳統矽半導體面臨物理極限，氮化鎵（GaN）以其高頻與高功率特性成為關鍵材料。工研院聚焦 8 吋矽基 GaN 高頻元件技術，兼具成本效益與製程挑戰克服，具高度稀缺性與市場潛力。建構完整製程平台，涵蓋 8 吋無金 CMOS 製程與 4 吋有金 Lift-off 製程，具備 68 nm T-gate、0.2 Ω·mm 接觸電阻、BSV 與 Air-bridge 等先進技術。元件展現 fT/fMAX = 113/258 GHz、電流密度 1200 mA/mm，於 100 GHz 達 1.68 W/mm 功率密度，並在60 GHz 放大模組實現 PSAT = 15 dBm、Gain = 5.5 dB，展現高頻高功率特性，助攻 5G/6G 與衛星射頻應用。

技術照片