技術說明

氮化鎵寬能隙半導體在高頻操作下可維持優異效能與穩定性，並具備開關速度快、尺寸小、散熱迅速特性。相較於矽開關元件，氮化鎵元件展現出更接近理想開關的特性。
本研究設計應用於高壓輸入的LLC諧振轉換電路，建立一套用於團隊開發之氮化鎵功率開關元件的測試驗證平台。透過將各類新式元件開發導入此平台量測，可快速比較氮化鎵開關元件之效率表現，加速元件開發進程。

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