技術說明

工研院打造創新多晶片天線整合封裝(Antenna-in-Package; AiP)架構，利用Lead Frame專利結構結合高熱導、低熱阻的晶片接合技術，並同步開發適用於超過60 GHz頻段的新型低極性樹脂與包覆型導熱粉體材料。在高頻電磁干擾(EMI)抑制方面，導入非對稱高頻鐵氧體材料技術，並優化膜層製程參數以提升抑制效能。
另一方面，工研院亦積極布局毫米波射頻前端模組的天線與封裝整合專利，建立毫米波封裝特性驗證平台，並掌握低介電損耗樹脂的關鍵材料技術，進一步帶動國內材料廠投入高頻封裝材料的技術研發與應用。
關鍵技術特徵包含 :
•天線整合PA封裝架構，組裝溫度≤225oC (熱阻R_JC 0.563℃/W，晶片溫度72.514℃)
•低損耗高導熱封裝材料: Df: 0.00054 (@100 GHz)，導熱係數: 4.03W/mK
•高效能EMI材料：電阻率達3x10¹⁰Ω-cm，EMI抑制衰減量達98.3% @100 GHz

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