技術說明

為提升高電壓氮化鎵（GaN）功率元件在封裝後仍能維持優異的電性表現、熱管理效率與長期可靠性，本技術首重封裝製程中的熱應力模擬分析，藉以建立材料熱機械匹配性的預測模型。透過封裝架構的可行性模擬，整合應力分布、熱傳導效率與電性行為等關鍵參數，建立量化數據與評估後導入實體載具製作，完成具覆晶（flip-chip）架構的封裝製程驗證。
本技術為「台英國合計畫」第一階段的重要成果之一，展現跨國合作於寬能隙半導體封裝領域的前瞻研發實力。

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