技術說明

傳統GaN功率元件多採用異質磊晶的橫向結構(如GaN HEMT)，雖具有高頻響應與低導通電阻等優勢，但因磊晶缺陷密度高，導致元件可靠度受限，耐壓能力多低於650V，且不利於元件微縮與，不易應用在高電壓、大電流及高功率密度場域。
相較之下，GaN UMOSFET採用同質磊晶的垂直結構設計，具備高耐壓、高可靠度與優異散熱效能，能有效縮小晶片面積，提升功率密度與系統整合度，而達到650V 以上應用，適用於電動車驅動系統、工業級電源轉換與資料中心電源等對高效率、高可靠性與高功率密度有嚴苛要求的應用場域。
本技術為「台英國合計畫」第一階段的重要成果之一，展現跨國合作於寬能隙半導體封裝領域的前瞻研發實力。

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